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美科学家发明辉钼忆阻器 或将改变未来半导体领域方向
作者:佚名   来源:网络   点击数:   更新时间:2016-2-16 9:44:38
关键字:半导体,辉钼
亿览网讯:

  据美国科学学术网3日报道,美科学家最近使用辉钼制成了辉钼基柔性忆阻器,可以用其制造低功耗的超高速存储与计算芯片,科学学术网认为这一发明很可能让半导体芯片世界从“硅时代”跨越到“辉钼时代”。

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