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金属硅|Q-Cells多晶硅组件效率突破18%
作者:佚名   来源:网络   点击数:   更新时间:2011-7-15 10:34:15
关键字:多晶硅
亿览网网讯:

    经弗劳恩霍夫太阳能研究所(FraunhoferISE)的认证,Q-Cells打破了该公司自己保持的多晶硅太阳能组件效率记录。新的效率记录从之前的17.8%上升为18.1%,公司称这是多晶硅组件效率首次突破18%。

    Q-CellsSE公司高级副总裁Peter∙Wawer评论道:“我们在晶体硅及铜铟镓硒薄膜技术领域接连打破世界纪录,这不仅体现了我们生产高质量产品的决心,还证明了Q-Cells在太阳能行业顶级制造商的地位。”

    这款名为Q.ANTUM的电池技术采用了180µm厚的多晶硅片,金属电极设在电池背表面,电池表面经过了纳米层钝化。电池后表面涂有介电层,并配有局部点接触电极。这一创新结构可适用于各种级别、各种厚度的硅材料上。

    2011年4月,Q-Cells公司曾使用Q.ANTUM技术制造出了效率高达19.5%的电池。

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